石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件

摘要

本发明涉及一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，由单层石墨烯、双层碲烯和单层硼烯构成；沿水平方向D，双层碲烯自左至右由m1段、m2段和m3段组成，单层硼烯自左至右由n1段、n2段和n3段组成；单层石墨烯和m1段构成左电极区，m2段、m3段、n1段和n2段构成中心散射区，n3段构成右电极区；单层石墨烯沿水平方向D垂直堆叠在m1段上形成石墨烯/双层碲烯范德华异质结；m3段沿水平方向D垂直堆叠在n1段上形成双层碲烯/硼烯范德华异质结。本发明利用双层碲烯的晶格取向和水平施加电场的方向调控左电极与中心散射区间的横向肖特基势垒，增强光电二极管的整流效应，得到简易、高效的兼具高光探测率和高光响应度的异质结光电二极管。