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MEMS热电堆红外传感器及制备方法

摘要

本发明提供一种MEMS热电堆红外传感器及制备方法,其中,位于上层的第二半导体层具有贯穿第二半导体层的第一刻蚀窗口,红外吸收层具有贯穿红外吸收层的第二刻蚀窗口,且位于冷结端的第一半导体层及第二半导体层的相对两面均与绝缘介质层相接触,位于热结端的第一半导体层与第二半导体层之间具有第一空腔,位于热结端的第二半导体层与红外吸收层之间具有第二空腔,且第一刻蚀窗口、第一空腔、第二刻蚀窗口及第二空腔相贯通。本发明仅保留冷结端的绝缘介质层,可减少导热横截面积,降低热结热量损耗,有效提高传感器的灵敏度,且在形成红外吸收层时可形成支撑部以对热电偶起到支撑作用,降低破裂概率,提高质量。

著录项

  • 公开/公告号CN113428833A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑶芯微电子科技(上海)有限公司;

    申请/专利号CN202110814837.X

  • 发明设计人 吕婷;

    申请日2021-07-19

  • 分类号B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人卢炳琼

  • 地址 201207 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室

  • 入库时间 2023-06-19 12:42:10

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