公开/公告号CN113430500A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州超然金刚石有限公司;
申请/专利号CN202110710115.X
申请日2021-06-25
分类号C23C16/27(20060101);C23C16/44(20060101);
代理机构33305 杭州信义达专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈继算
地址 311402 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区鸿兴路158号2号楼2-117
入库时间 2023-06-19 12:42:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
授权
发明专利权授予
机译: 具有晶格适应性的微电子半导体器件-通过超晶格实现它们之间的接触区域,并且在使用一种材料制成器件的情况下去除了替代材料
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂