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一种基于金刚石晶格的半导体材料及其制造设备

摘要

本发明公开了一种基于金刚石晶格的半导体材料,涉及半导体技术领域。所述半导体材料为在所述衬底表面均匀铺设含有锂元素的粉末,以含碳和含氮的混合气体作为气体源,采用化学气相沉积法在衬底上生长出的薄膜,另外,本发明还提出一种相应的制造设备。本发明能够阻止锂原子掺入金刚石后扩散聚集成锂团簇,保证了锂原子在晶格中的活性状态。

著录项

  • 公开/公告号CN113430500A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州超然金刚石有限公司;

    申请/专利号CN202110710115.X

  • 发明设计人 余斌;余海粟;朱轶方;陆骁莹;

    申请日2021-06-25

  • 分类号C23C16/27(20060101);C23C16/44(20060101);

  • 代理机构33305 杭州信义达专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈继算

  • 地址 311402 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区鸿兴路158号2号楼2-117

  • 入库时间 2023-06-19 12:42:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    授权

    发明专利权授予

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