一种耐二次击穿的功率双极晶体管

摘要

本发明公开了一种耐二次击穿的功率双极晶体管，包括：集电极欧姆接触区设置在最底部，在集电极欧姆接触区上设置集电极P+区，在集电极P+区上设置集电极P‑区；在集电极P‑区上设置基极n区，在集电极P‑区与基极n区之间形成集电极‑基极p‑n结区；在基极n区内设置发射极区，在基极n区与发射极区之间形成发射极‑基极p‑n结区；在基极n区上设置介电薄膜，在介电薄膜上间隔设置基极欧姆接触区及发射极欧姆接触区；在基极n区内从左至右还包括基极‑集电极p‑n结区、附加掺杂集电极区。增加功率双极晶体管对二次击穿的耐受能力，采用过电压保护阈值可调节的设计，减小器件的输出容量以得到功率双极晶体管结构简化，缩小功率双极晶体管的尺寸。