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公开/公告号CN113422293A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202110688710.8
发明设计人 侯玉菲;赵德刚;梁锋;陈平;杨静;刘宗顺;
申请日2021-06-21
分类号H01S5/20(20060101);H01S5/343(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 12:38:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-11
授权
发明专利权授予
机译: InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
机译: 表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译: 高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
机译:c面GaN衬底上的InGaN / GaN量子点脊形波导激光器(λ= 420 nm)的连续波操作和差分增益
机译:c面GaN衬底上的InGaN / GaN量子点脊波导激光器(λ= 420 nm)的连续波操作和差分增益
机译:经过处理的GaN模板上具有富Ga的GaN中间层的改进的InGaN / GaN量子阱
机译:用于量子阱有源区激光器和GaN上的光发射器的II型450-550 nm InGaN-GaNAs
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:具有InGaN上波导层的GaN基蓝色激光二极管的设计考虑
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质