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公开/公告号CN113403555A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 北京理工大学;
申请/专利号CN202110640325.6
发明设计人 程兴旺;徐子祁;谈燕;马兆龙;
申请日2021-06-09
分类号C22F1/00(20060101);C22C30/00(20060101);C22C32/00(20060101);C22C1/10(20060101);
代理机构11639 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人邬晓楠
地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-17
授权
发明专利权授予
机译: 以及其背板组件-其溅射靶的制造方法以及由难熔金属硼化物难熔金属合金,难熔金属硅化物,难熔金属碳化物或难熔金属氮化物的烧结性差的组成的靶材的制造方法
机译: 在含硅衬底上形成硅化物互连的方法以及在硅上难熔金属硅化物上形成难熔金属氮化物叠层的方法
机译: 以及其背板组件及其溅射靶的制造方法以及由难熔金属硼化物难熔金属合金,难熔金属硅化物,难熔金属碳化物或难熔金属氮化物的烧结性差的靶构成的靶。
机译:MoNbHfZrTi难熔高熵合金的热变形特性和动态再结晶
机译:HfMoTaTiZr和HfMoNbTaTiZr难熔高熵合金的增强的机械性能
机译:通过在加热的Si基板上溅射难熔金属来形成难熔金属硅化物
机译:通过难熔高熵合金的原位渗碳获得“难熔高熵碳化物”的可行性研究
机译:用密度函数理论计算的难熔BCC高熵合金中的堆叠故障能量,分析了推断统计
机译:难熔高熵合金力学性能的综合数据汇编
机译:低阻难熔金属硅化物对半导体大规模集成电路(LSI)的高速高性能研究
机译:难熔金属硅化物:薄膜性能和加工技术