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纳米级硅化物和Laves相增强难熔高熵合金材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米级硅化物和Laves相增强难熔高熵合金材料及其制备方法,属于高熵合金领域。该新型合金由Nb、Ti、Ta、Cr、Al、V、Si、Mo等元素构成,铸态条件下该合金为单相BCC结构,通过冷变形及后续的热处理方法对该合金进行处理,获得具有大量弥散分布的纳米级M5Si3相和Laves相。该合金的密度≤8g/cm3,兼具高的拉伸屈服强度和断裂延伸率,具有优异的力学性能。其屈服强度可以达到850MPa以上,并且断裂延伸率在10%以上。同时在高温下,该合金具有良好的抗氧化性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113862542A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN202111096394.1

  • 发明设计人 马兆龙;刘宸毓;徐子祁;程兴旺;

    申请日2021-09-16

  • 分类号C22C30/00(20060101);C22C27/02(20060101);C22F1/18(20060101);C22C32/00(20060101);

  • 代理机构11639 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人邬晓楠

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2023-06-19 13:30:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-03

    授权

    发明专利权授予

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