半导体热处理设备及其装卸载腔室中氧含量的控制方法

摘要

本发明实施例提供了一种半导体热处理设备及其装卸载腔室中氧含量的控制方法，所述方法包括：获取装卸载腔室当前的目标氧含量和检测氧含量；根据检测氧含量和目标设置氧含量，确定第一偏差值；根据第一偏差值确定初始吹扫流量；获取装卸载腔室的压力流量转换系数和当前的压力值，并根据压力流量转换系数将压力值转换为参考吹扫流量；根据初始吹扫流量和参考吹扫流量，确定第二偏差值；根据第二偏差值确定最终吹扫流量，并采用最终吹扫流量对装卸载腔室进行吹扫，以控制氧含量。通过本发明实施例，实现了自适应腔室中变化进行氧含量控制，兼顾腔室中的氧含量和压力值，提升了腔室中氧含量控制的准确性和及时性，保证了硅片的加工质量。