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公开/公告号CN113410055A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 嘉兴学院;
申请/专利号CN202110557019.6
发明设计人 苏振;李在房;宋嘉兴;胡林;尹新星;金英芝;
申请日2021-05-21
分类号H01G4/33(20060101);H01G4/10(20060101);
代理机构33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司;
代理人戚正云
地址 314001 浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科创园2号楼
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-25
授权
发明专利权授予
机译: 一种通过使用激光剥离工艺来制造包括具有电介质层的嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法以及由其制造的包括嵌入式薄膜电容器的印刷电路板
机译: 一种利用激光剥离工艺制造包括具有电介质层的嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法,以及包括嵌入式薄膜电容器的印刷电路板的方法
机译: 薄膜电容器,薄膜电容器的制造方法,电介质树脂膜以及电介质树脂膜的制造方法
机译:低漏极耐压n沟道功率沟道MOSFET器件的双外延结构
机译:毫米波波段高输出和高耐压pHEMT:通过降低非线性漏极电阻,实现输出和耐压
机译:薄膜电容器TDK,高耐压350V用于工业领域消除EMI
机译:用ZrO_2栅极电介质,SI的低漏高击穿GAN MOSHEMTS
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:具有高介电常数的柔性超高温聚合物基电介质用于薄膜电容器应用
机译:甲基硅烷型低k型低k CVD氧化物作为化合电介质的漏浊机制
机译:1957年4月22日至23日,美国天主教大学关于固态电介质和磁性器件特别技术会议的摘要(aIEE和IRE),关于一些旧的,新的和尚未发现的铁电体和其他有趣的电介质