公开/公告号CN113376191A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海应用物理研究所;
申请/专利号CN202110638377.X
申请日2021-06-08
分类号G01N23/20008(20180101);G01N23/20025(20180101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人余永莉
地址 201800 上海市嘉定区嘉罗公路2019号
入库时间 2023-06-19 12:32:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-16
授权
发明专利权授予
机译: 一种在si-基板上从iii-v-基团的连接中培养半导体晶体的方法。
机译: 薄膜晶体管,一种制造该薄膜晶体管的方法,以及一种有机发光二极管显示装置,包括该装置,能够通过蚀刻剂有效地消除半导体层上的残留金属
机译: 一种在铁,铬,铝合金的薄膜上更快速地发芽和培育头发晶体的方法---。