公开/公告号CN113380892A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN202110602234.3
申请日2021-05-31
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/51(20060101);H01L27/1159(20170101);G11C11/22(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2023-06-19 12:32:17
机译: 铁电场效应晶体管,铁电存储器及其数据读取/写入方法及其制造方法
机译: 包括铁电层的记录材料,包括该材料的非易失性存储器件,以及为该存储器件写入和读取数据的方法
机译: 包括铁电半导体材料的非易失性半导体存储器件以及半导体存储器件的数据写入,擦除和读取方法