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察明扬; 陈佩瑶; 陈琳; 朱颢; 孙清清; 张卫;
复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433;
存储器; 氧化铪; 铁电性; 铁电隧道结;
机译:离子轰击辅助溅射和氧自由基处理在非晶SiO_2上形成大矫顽场的铁电薄膜形成技术,以进一步缩小铁电栅场效应晶体管存储器件的尺寸
机译:退火保护气氛对铁电钇掺杂铪氧化铪薄膜的影响
机译:由偏二氟乙烯低聚物单层制成的铁电隧道结存储器件
机译:氧化锆的铁电性和结晶度,铪亚硝酸铪氧化锆(HZO)通过原子层沉积与且没有后退火的原子层沉积制备的超薄膜
机译:基材对铅基铁电薄膜的结构和电性能的影响。
机译:灵活的准van der Wa族铁电铪基氧化物用于集成高性能非易失性记忆
机译:通过金属/铁电结的铁电薄膜中的纳米缝隙进行电荷载流子传输:新型非易失性存储器件的可能性
机译:表征锆钛酸铅(pZT)铁电薄膜和存储器件电气优先级的新方法。
机译:用于形成铋基铁电薄膜的涂料溶液,铁电薄膜,铁电电容器,铁电存储器及其制造方法
机译:用于形成铋基铁电薄膜的涂覆溶液,以及用所述涂覆溶液形成的铁电薄膜,铁电电容器和铁电存储器,及其生产方法
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