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单晶硅异质结太阳能电池和太阳能电池的制作方法

摘要

本发明提供了一种单晶硅异质结太阳能电池和太阳能电池的制作方法。单晶硅异质结太阳能电池包括:由内至外依次设置的基材、透明导电氧化物层和种子层,种子层作为栅线电极图案;导电层,设于种子层上,作为与电极图案对应的电极;其中,种子层的扩散能力低于导电层的扩散能力,用于阻止其上的导电层扩散至透明导电氧化物层。种子层中所包含的金属的扩散能力需低于导电层中金属的扩散能力,从而通过扩散能力相对较差的种子层增加导电层中金属向透明导电氧化物层扩散的难度。通过设置该种子层使导电层可以选取性能优良且成本较低的金属。进而实现优化太阳能电池结构,降低太阳能电池的生产成本,提升太阳能电池产品竞争力的技术效果。

著录项

  • 公开/公告号CN113380902A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州捷佳创精密机械有限公司;

    申请/专利号CN202110637123.6

  • 发明设计人 左国军;宋广华;

    申请日2021-06-08

  • 分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/072(20120101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11343 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人尚志峰;王淑梅

  • 地址 213133 江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号

  • 入库时间 2023-06-19 12:32:17

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