一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：在非晶硅层表面，通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层表面，通过第二镀膜技术形成一层金属层；通过激光划线技术，按照预设的金属电极图案，在金属层上进行激光划线，在所述金属层形成包括主电极和栅线电极的金属电极图案。通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层，再结合不同的激光特性，进行激光划线，可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤，同时可有效避免金属对硅的扩散，并且相对于现有技术，本发明工艺流程较为简单，且可以采用铝等廉价金属材料，降低了电池制作成本，可以达到量产的目的。