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公开/公告号CN113382525A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN202110695553.3
发明设计人 丁洪斌;石劼霖;李裕;王勇;李聪;冯春雷;
申请日2021-06-23
分类号H05H1/48(20060101);H05H1/02(20060101);
代理机构21244 大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人崔雪
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-06-19 12:32:17
机译: 电容耦合等离子体的电极结构,为了确保大面积等离子体源和基质处理设备(包括相同的来源),仅使用一种源代替几种源
机译: 一种磁控管反应器,用于提供高密度感应耦合等离子体源,用于溅射金属膜和介电膜
机译: 一种电焊弧的直流电源装置
机译:大面积高密度螺旋等离子体源
机译:具有可扩展ECR大面积等离子体源的高密度等离子体浸没离子注入机的特性
机译:螺旋谐振器阵列的大面积高密度等离子体源
机译:大面积高密度直升离子等离子体源
机译:行波驱动的感应耦合大面积等离子体源,用于平板处理。
机译:用于高密度目标选择性刺激和线虫中细胞和亚细胞特征的长期监测的多通道设备
机译:一种新的固体等离子体源,分流弧。
机译:用于金刚石薄膜大面积化学气相沉积的高密度等离子体源