一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法

摘要

一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法，包括：S1，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀出热电转换结构(100)，热电转换结构(100)包括一连接部以及连接于连接部两端的两端部；S2，在步骤S1所得结构的上表面生长氮化硅膜(102)；S3，刻蚀氮化硅膜(102)以形成支撑臂和支撑岛；S4，在支撑岛上沉积第一金属(103)，并刻蚀第一金属(103)以形成金属图形；S5，在支撑臂上沉积第二金属(104)，通过退火工艺使得第二金属(104)与顶层硅形成欧姆接触；S6，在热电转换结构(100)的连接部制备声子晶体；S7，在步骤S6所得结构的上表面和SOI衬底的下表面生长掩膜层；S8，刻蚀下表面至SOI衬底的埋氧层(101)；S9，去除埋氧层(101)；S10，去除上表面掩膜层。