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用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的精密编程电路

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摘要

本发明公开了高电压生成电路、高电压运算放大器、自适应高电压源、可调高电压增量器、可调参考电源和参考电路的各种实施方案。这些电路可任选地用于对模拟神经存储器中的非易失性存储器单元进行编程以存储许多可能值中的一个可能值。

公开/公告号CN113366573A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人硅存储技术股份有限公司;
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申请/专利号CN201980090685.4
发明设计人 H·V·特兰;T·乌;S·特林;A·李;S·洪;
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申请日2019-09-05
分类号G11C11/54(20060101);G11C16/12(20060101);G11C16/14(20060101);G11C16/16(20060101);G11C16/24(20060101);G11C16/30(20060101);G06N3/04(20060101);G06N3/063(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人蔡悦
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 12:29:04

1. 用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的精密编程电路 [P] . 中国专利： CN113366573A . 2021-09-07
2. 用于深度学习人工神经网络中的模拟非易失性存储器的可编程神经元 [P] . 中国专利： CN111542840A . 2020-08-14
3. Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network [P] . US11144824B2 . 2021-10-12

机译：用于验证在深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器中的非易失性存储器单元的编程操作期间存储的值的算法和电路
4. ALGORITHMS AND CIRCUITRY FOR VERIFYING A VALUE STORED DURING A PROGRAMMING OPERATION OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL IN AN ANALOG NEURAL MEMORY IN DEEP LEARNING ARTIFICIAL NEURAL NETWORK [P] . EP3918602A1 . 2021-12-08

机译：用于验证在深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器中的非易失性存储器单元的编程操作期间存储的值的算法和电路
5. Algorithms and circuitry for verifying stored values during programming operations of non-volatile memory cells in analog neural memory in deep learning artificial neural networks [P] . KR20210100194A . 2021-08-13

机译：用于在深度学习人工神经网络中的模拟神经记忆中的非易失性存储器单元的编程操作期间验证存储值的算法和电路