一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法

摘要

本发明公开了一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，涉及芯片电镀技术领域。一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其合成步骤如下：以钛棒A作为阳极，以半导体芯片B作为阴极，将钛棒A和半导体芯片B依次放入电解槽中，用抗蚀剂掩蔽半导体芯片B中无需电镀的部分，向电解槽中缓慢加入电镀液C并搅拌均匀，调节电镀液C的PH值为3.0‑7.0，开始供电，开启升温系统调节电镀液C升高到一定温度，向电解槽中依次加入PH值缓冲剂、光亮剂和镀层结晶调整剂。本发明可以获得合金组成质量分数波动度较小的合金镀层，提高了镀层的稳定性，使得合金镀层的熔点均一，从而有利于焊接凸块熔点，提高了电子产品的质量。