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一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法

摘要

本发明涉及一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法,属于飞秒激光应用技术领域。本发明采用时域整形的双脉冲飞秒激光结合脉冲激光自下而上沉积的制造方法成功制备了一种具有超高频率响应特性的超级电容,该方法为研究超高频响应超级电容提供了一个新颖的角度,有望在未来应用于小型化便携式电子设备的超高频滤波单元上。对于该方法,一方面经过双脉冲飞秒激光加工的碳材料具有丰富且均匀的孔径分布和高的比表面积,另一方面脉冲激光自下而上原位转移沉积碳材料使得电极材料的堆叠均匀有序。

著录项

  • 公开/公告号CN113314357A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN202110581968.8

  • 申请日2021-05-24

  • 分类号H01G11/86(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/44(20130101);B23K26/00(20140101);

  • 代理机构11639 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人邬晓楠

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2023-06-19 12:21:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G11/86 专利申请号:2021105819688 申请公布日:20210827

    发明专利申请公布后的驳回

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