飞秒激光超短双脉冲序列烧蚀增强现象

摘要

飞秒激光超短双脉冲序列与硅相互作用研究显示,相对于激光通量较低的单脉冲烧蚀硅材料,同等能量下的双脉冲烧蚀效率明显增加,这种现象在高通量时由于很强的等离子屏蔽效应,烧蚀效率增强趋势被抑制.建立原子模型分析可知,在脉冲序列延时超过1 ps时,增强是由熔融硅转换成金属特性所对应的吸收率改变导致;在脉冲延时小于1 ps时,增强是由第1个脉冲激发电子导致.