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原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法

摘要

本公开提供了一种原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法,包括步骤:步骤一,将基体原料加入球磨罐中,再加入分散剂水溶液、球磨介质,进行一次磨球,再加入粘结剂溶液,继续二次球磨,得到浆料,其中,所述基体原料为碳化硅粉体、氢氧化铝粉体、金属氧化物粉体和氟化物粉体;步骤二,将步骤一得到的浆料干燥脱水,得到固体物;步骤三,将步骤二得到的固体物造粒,然后过筛;步骤四,将步骤三得到的筛下物利用模具干压成型,得到生坯;步骤五,将步骤四得到的生坯真空干燥;步骤六,将步骤五真空干燥后的生坯在1500℃‑1550℃下进行烧结,保温2h‑4h,其能得到具有原位生长莫来石晶须增强的碳化硅陶瓷基复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN113292344A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东大学;

    申请/专利号CN202110586353.4

  • 发明设计人 张景德;李子禾;常籽萱;韩桂芳;

    申请日2021-05-27

  • 分类号C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构11387 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张向琨

  • 地址 250061 山东省济南市经十路17923号

  • 入库时间 2023-06-19 12:21:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-16

    授权

    发明专利权授予

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