公开/公告号CN113270419A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利号CN202010094704.5
申请日2020-02-16
分类号H01L27/11568(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101);
代理机构11859 北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人赵星;张文武
地址 100195 北京市海淀区杏石口路80号益园B1栋
入库时间 2023-06-19 12:14:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11568 专利申请号:2020100947045 申请日:20200216
实质审查的生效
机译: 一种用于生产高掺杂半导体晶片和无位错,高掺杂半导体晶片的方法
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 用于制备和掺杂半导体表面的掺杂混合物,包括用于掺杂半导体表面的p型或n型掺杂剂,水和两种或多种表面活性剂的混合物,其中一种表面活性剂是非离子型表面活性剂