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公开/公告号CN113270475A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202110378330.4
发明设计人 段宝兴;孙李诚;杨银堂;
申请日2021-04-08
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/47(20060101);H01L21/331(20060101);H01L29/739(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人唐沛
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 12:14:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-14
授权
发明专利权授予
机译: 防止短路状态的绝缘栅双极型晶体管的保护方法和至少两个串联连接的绝缘栅双极型晶体管的保护方法
机译: 可作为垂直MOSFET和横向绝缘栅双极型晶体管工作的半导体器件,在注入器区域中包括肖特基二极管。
机译: 高压碳化硅结势垒肖特基结型场效应晶体管及其制造方法,具有肖特基栅结构
机译:一种采用独立肖特基阳极的功率集成电路新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管和横向二极管
机译:衬底掺杂对阳极短的N沟道横向绝缘栅双极型晶体管性能的影响
机译:结隔离技术中的700 V横向绝缘栅双极型晶体管的导电特性
机译:具有绝缘沟槽集电极的回跳抑制短路阳极横向沟槽绝缘栅双极晶体管(LTIGBT)
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。