一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法

摘要

本发明涉及一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法，光刻胶制备方法以Sb2Te为靶材、以Ar为起辉气体、N2为掺杂气体，在基片上沉积得到NSb2Te光刻胶，控制Ar和N2的流量比，使NSb2Te光刻胶为正胶或负胶；光刻方法包括：S1：在基片上沉积一层NSb2Te光刻胶，控制NSb2Te光刻胶中氮元素的掺杂量，使NSb2Te光刻胶为正胶或者负胶；S2：利用激光直写光刻系统对所述NSb2Te光刻胶进行曝光；S3：利用反应离子刻蚀系统或酸/碱性显影剂对曝光后的所述NSb2Te光刻胶进行干法或湿法显影，得到具有微纳结构的光刻样品。本发明提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好且能在同一显影剂中实现正负胶转换的光刻胶制备方法和光刻方法。