公开/公告号CN113254868A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 鲁欧智造(山东)高端装备科技有限公司;潍坊先进光电芯片研究院;
申请/专利号CN202110759313.5
发明设计人 罗亚非;
申请日2021-07-06
分类号G06F17/15(20060101);G06F30/20(20200101);G01N25/20(20060101);
代理机构37300 山东华君知识产权代理有限公司;
代理人程静静
地址 261000 山东省潍坊市潍城区经济开发区工业一街东首195号
入库时间 2023-06-19 12:13:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-16
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F17/15 专利申请号:2021107593135 申请公布日:20210813
发明专利申请公布后的驳回
机译: 制造半导体器件的方法,一种处理基质的方法,一种基质处理设备以及一种非瞬态计算机可读记录介质,该介质可提高氢氟酸液体的刻蚀速率
机译: 一种单片半导体器件,包含CMOS,低瞬态和dmoscomplementari结型双极结型晶体管。
机译: 一种单片半导体器件,包含CMOS,低瞬态和dmoscomplementari结型双极结型晶体管。