一种CoolMOS器件制作方法

摘要

本发明公开了一种CoolMOS器件制作方法，包括如下步骤1)场氧生长，分压环打开，分压环注入退火；2)有源区打开；3)有源区内加工深沟槽；4)栅氧生长，多晶硅栅淀积、光刻、刻蚀；5)PWELL阱层注入退火；6)源区N+光刻，N+注入，退火；7)TEOS淀积，铝下钝化硼磷硅玻璃生长，回流；8)引线孔光刻，孔刻蚀；9)正面金属化形成；10)减薄；11)背面金属化形成；12)CP测试入库。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种在PWELL内进行深沟槽刻蚀，在槽内淀积TEOS厚氧，利用多晶场板屏蔽原理加上底部PN结原理，实现在浓外延条件下的高压输出，降低内阻的CoolMOS器件制作方法。