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一种hBN/BAlN异质结紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明属于光电器件及功能薄膜技术领域,公开一种hBN/BAlN异质结紫外探测器及其制备方法;所述hBN/BAlN异质结紫外探测器,包括:BAlN薄膜层,形成于衬底的上表面;hBN薄膜层,形成于所述BAlN薄膜的表面上,且覆盖一半的BAlN薄膜;两个电极,分别形成于BAlN薄膜和hBN薄膜表面上。本发明设计的紫外探测器具有对深紫外光更灵敏的特征,能实现波长250nm以下深紫外光的响应,同时具有良好的热稳定性、化学稳定性以及抗辐射能力,可以在极端恶劣的环境下工作,可兼具自供电和柔性特点,应用场景更广泛。

著录项

  • 公开/公告号CN113193069A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202110354075.X

  • 申请日2021-03-31

  • 分类号H01L31/109(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李鹏威

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 12:02:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-31

    授权

    发明专利权授予

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