一种基于Fano共振的自脉冲和连续输出型硅基集成半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于Fano共振的自脉冲和连续输出型硅基集成半导体激光器及其制备方法，激光器包括衬底及设置在衬底上自左向右依次设置的布拉格反射镜、第一锥形波导、III‑V族多量子阱有源区、第二锥形波导和Fano反射镜；Fano反射镜包括直波导和微环波导；微环波导上覆盖石墨烯形成饱和吸收；通过在微环波导与直波导耦合区设计部分透过单元，产生Fano共振，实现在1550nm光通信C波段的自脉冲和连续两种工作模式，能够适用多重应用场景；连续输出下中心波长在1550nm，单模特性良好；自脉冲模式下，随着电流增大，脉冲重复率达到GHz，具有高的脉冲重复率。制备方法兼容常规工艺，适合低成本高效制备。