一种探测器级高纯锗单晶籽晶及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种探测器级高纯锗单晶籽晶及其制备方法和应用，涉及半导体核辐射探测材料技术领域。制备方法包括：将轴向为晶向的圆柱形的锗单晶底面固定在砧板上；沿轴向切一刀切到锗单晶的底部；重复两次沿径向移动3mm后，沿轴向切一刀到距底部3mm处；沿径向移动3mm后，沿轴向切一刀切到锗单晶的底部，得到中间件；将中间件平放并固定到砧板上，将中间件一侧面的单晶片切断并取下；每间隔3mm沿着垂直于中间件底边的方向切割到中间件的底部，得到多个半成品；将半成品侧面的单晶片切断并取下；打磨半成品的两切割面；将半成品的尖端加工为圆柱形，头部加工为半球形，以得到籽晶。本发明制得的籽晶同轴性好、生产效率高及成品率高。