一种单层膜双纳米孔DNA检测设备及检测方法

摘要

本发明公开了一种单层膜双纳米孔DNA检测设备，包括DNA修饰腔、DNA检测腔、电场电极及信号处理终端；所述DNA修饰腔，用于在待测DNA所述待测DNA的尾端连接磁性小球；所述电场电极，用于在所述DNA检测腔内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极，使所述待测DNA回缩。本发明同时获得两次DNA检测结果，提升检测结果的准确性，且节省了检测时间，提高了检测效率。本发明还提供了具有由上述优点的单层膜双纳米孔DNA检测方法。

说明书

技术领域

本发明涉及DNA检测领域，特别是涉及一种单层膜双纳米孔DNA检测设备及检测方法。

背景技术

基因测序技术作为人类探索生命秘密的重要手段之一，对生物、生命科学、医学等领域的技术发展起到了巨大的推动作用。而固态纳米孔测序技术作为新兴的第四代基因测序技术，具有低成本、高读长、易集成等优势。第四代固态纳米孔基因测序技术原理是将DNA分子电泳通过一个薄而小的纳米孔，固定DNA的两端，移动纳米位移平台，由于不同碱基理化性质的差异，其对孔的电流阻塞效应不同，对阻塞电流的分辨可以得知DNA分子内碱基的序列信息。

但目前的固态纳米孔测序技术也面临很多问题，首先，待测DNA仅单次过孔，如果要对检测结果进行校正，则需将纳米位移平台复位后重新测量，致使测试效率与测量准确性不可兼得，其次，现有技术中，在完成单次过孔检测，需要对待测DNA更换探针时，需要将DNA从固定端取下、更换探针、重新固定，步骤繁琐，进一步降低了检测效率。

综上所述，如何在保证测试效率的前提下，提高DNA检测间的结果准确度，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种单层膜双纳米孔DNA检测设备及检测方法，以解决现有技术中测试效率与测试准确率不可兼得的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种单层膜双纳米孔DNA检测设备，包括DNA修饰腔、DNA检测腔、电场电极及信号处理终端；

所述DNA检测腔包括单层膜双纳米孔芯片；

所述DNA修饰腔，用于对待测DNA加装探针及在所述待测DNA的尾端连接磁性小球，所述磁性小球的直径大于所述单层膜双纳米孔芯片上的纳米孔A的孔径；

所述电场电极，用于在所述DNA检测腔内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，完成一次所述待测DNA过孔检测，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极，使所述待测DNA回缩；

所述信号处理终端，用于收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号，并通过所述纳米孔电信号确定DNA检测结果。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述DNA检测腔包括双通道微流控组件；

所述双通道微流控组件包括导流沟道，所述导流沟道与所述单层膜双纳米孔芯片围成导流管；

所述导流管分别将纳米孔A及纳米孔B与所述DNA修饰腔连接。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述单层膜双纳米孔芯片从下至上依次包括硅基体、氮化硅层及保护层；

所述硅基体包括基体通孔，所述保护层包括两个保护通孔；

所述基体通孔与所述氮化硅层组成下方凹槽，所述保护通孔与所述氮化硅层组成两个上方凹槽；

所述纳米孔A及所述纳米孔B分别位于两个上方凹槽的底部，且位于所述下方凹槽的底部。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述单层膜双纳米孔芯片的制造方法包括：

清洗所述硅基体；

在清洗后的硅基体正面依次设置所述氮化硅层及所述保护层；

分别对所述硅基体的背面及所述保护层进行光刻及刻蚀，得到图形化的基体通孔及图形化的保护通孔；

通过透射电子显微镜刻蚀所述氮化硅层，得到所述纳米孔A及纳米孔B。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述电场电极包括入口电极、底面电极及出口电极；

所述入口电极设置于所述纳米孔A处；

所述底面电极设置于所述单层膜双纳米孔芯片的下方，且与所述纳米孔A及纳米孔B的位置对应；

所述出口电极设置于所述纳米孔B处；

所述入口电极的电位、所述底面电极的电位及所述出口电极的电位依次升高。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述DNA检测腔包括电极槽组件；

所述电极槽组件包括电极沟道，所述电极沟道与所述单层膜双纳米孔芯片围成电极腔；

所述底面电极设置于所述电极腔内。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述纳米孔A及所述纳米孔B的孔径的范围为1纳米至10纳米，包括端点值。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述磁性小球的直径的范围为70纳米至200纳米，包括端点值。

可选地，在所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备中，所述纳米孔A与所述纳米孔B的间距的范围为0.5微米至10微米，包括端点值。

一种单层膜双纳米孔DNA检测方法，包括：

获取待装探针列表，并在待测DNA的尾端连接磁性小球；

根据所述待装探针列表，为所述待测DNA加装第一探针；

通过外加电场使所述待测DNA的首端从单层膜双纳米孔芯片的正面先穿过纳米孔A到达所述单层膜的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，并收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号；其中，所述磁性小球的直径大于所述纳米孔A的孔径；

关闭所述外加电场，使所述待测DNA回缩，并洗去所述第一探针；

根据所述探针列表，循环加装探针至洗去探针的步骤，得到所述探针列表对应的纳米孔信号集；

根据所述纳米孔信号集，确定DNA检测结果。

本发明所提供的单层膜双纳米孔DNA检测设备，包括DNA修饰腔、DNA检测腔、电场电极及信号处理终端；所述DNA检测腔包括单层膜双纳米孔芯片；所述DNA修饰腔，用于对待测DNA加装探针及在所述待测DNA的尾端连接磁性小球，所述磁性小球的直径大于所述单层膜双纳米孔芯片上的纳米孔A的孔径；所述电场电极，用于在所述DNA检测腔内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，完成一次所述待测DNA过孔检测，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极，使所述待测DNA回缩；所述信号处理终端，用于收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号，并通过所述纳米孔电信号确定DNA检测结果。

本发明通过电场电极在DNA检测腔内设置外加电场，使待测DNA依次通过在同一膜层上相邻位置的两纳米孔(即纳米孔A及纳米孔B)，并分别获取待测DNA过孔时两个纳米孔的电信号，即可同时获得两次DNA检测结果，进而排除由错配探针等原因导致的测量误差，实现对单次测量的校验，在保证检测效率的同时，大大提升检测结果的准确性，此外，本发明还在待测DNA的尾端连接直径大于纳米孔A的孔径的磁性小球，使待测DNA不会完全过孔，而是尾端卡在纳米孔A处，当完成一次DNA过孔检测(即待测DNA的需检测部分穿过纳米孔A及纳米孔B)后，关闭电场电极，外加电场消失，DNA在熵的作用下回缩，弹回DNA修饰腔内，即可在DNA修饰腔内直接进行探针替换，进一步节省了检测时间，提高了检测效率。本发明同时还提供了一种具有由上述有益效果的单层膜双纳米孔DNA检测方法。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1至图7为本发明提供的单层膜双纳米孔DNA检测设备的各个具体实施方式的结构示意图；

图8为本发明提供的单层膜双纳米孔DNA检测设备的一种具体实施方式待测DNA在完成一次过孔检测后与设备的位置关系示意图；

图9为本发明提供的单层膜双纳米孔DNA检测方法的一种具体实施方式的流程示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的核心是提供一种单层膜双纳米孔DNA检测设备，其一种具体实施方式的结构示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括DNA修饰腔100、DNA检测腔200、电场电极300及信号处理终端400；

所述DNA检测腔200包括单层膜双纳米孔芯片210；

所述DNA修饰腔100，用于对待测DNA加装探针及在所述待测DNA的尾端连接磁性小球，所述磁性小球的直径大于所述单层膜双纳米孔芯片210上的纳米孔A的孔径；

所述电场电极300，用于在所述DNA检测腔200内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，完成一次所述待测DNA过孔检测，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极300，使所述待测DNA回缩；

所述信号处理终端400，用于收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号，并通过所述纳米孔电信号确定DNA检测结果。

需要注意的是，前文中关于所述电极电场的表述，只说明了单次DNA过孔检测的流程，不难发现，经过单次DNA过孔检测可能只能检测单一类型的探针，而在实际的DNA检测中，通常需要测试多种探针，这就需要在完成前述的单次DNA过孔检测后，洗去探针，更换另一个类型的探针，重复如上检测过程，直到测试完所有类型的探针，完成整条DNA序列的测试。

作为一种优选实施方式，所述单层膜双纳米孔芯片210从下至上依次包括硅基体211、氮化硅层212及保护层215，其一种具体实施方式的截面图如图2所示；

所述硅基体211包括基体通孔，所述保护层215包括两个保护通孔；

所述基体通孔与所述氮化硅层212组成下方凹槽，所述保护通孔与所述氮化硅层212组成两个上方凹槽；

所述纳米孔A及所述纳米孔B分别位于两个上方凹槽的底部，且位于所述下方凹槽的底部。

本具体实施方式用所述硅基体211及所述保护层215夹住了所述氮化硅层212，通过在所述硅基体211上及所述保护层215上设置通孔，使所述氮化硅层212暴露出来，相当于使所述氮化硅层212变为悬空层，易于设置纳米孔，该结构制备简单生产快速，有利于提升生产效率，降低生产成本。当然，也可根据实际情况采用其他结构的单层膜双纳米芯片。

更进一步地，所述保护层215由下至上可包括二氧化硅牺牲层213及氮化硅掩膜214，其立体结构示意图可参考图3，图3中A、B即为所述纳米孔A和纳米孔B。

相应地，作为一种具体实施方式，所述单层膜双纳米孔芯片210的制造方法包括：

S1：清洗所述硅基体211。

S2：在清洗后的硅基体211正面依次设置所述氮化硅层212及所述保护层215。

S3：分别对所述硅基体211的背面及所述保护层215进行光刻及刻蚀，得到图形化的基体通孔及图形化的保护通孔。

S4：通过透射电子显微镜刻蚀所述氮化硅层212，得到所述纳米孔A及纳米孔B。

通过透射电子显微镜可快速得到尺寸在纳米级的高精度孔洞，当然，也可根据实际情况选用其它方案设置纳米孔。

下面举一例，具体说明所述单层膜双纳米孔芯片210的制造流程，包括：

1)清洗硅片。

采用去离子水，丙酮，酒精和去离子水分别清洗硅片。

2)在硅片两面依次沉积氮化硅，二氧化硅和氮化硅。

采用LPCVD，在硅片的两个面同时沉积三层膜，其中第一层膜为后续制备纳米孔的悬空膜，第二层二氧化硅为牺牲层，第三层氮化硅膜为掩膜。

3)匀胶，光刻，显影。

采用匀胶机，均匀旋涂光刻胶，经前煎膜，光刻，显影，镜检，看显影是否充分，然后再煎膜。获得预刻蚀部位图形。

4)刻蚀。

采用等离子体刻蚀机，刻蚀第一面第三层氮化硅膜和第二面的三层膜。

5)去胶，KOH腐蚀第二面。

采用丙酮加热，去除光刻胶。然后采用单面腐蚀夹具，分别腐蚀第二面的硅层。当暴露在KOH溶液中时，由于腐蚀速率沿不同晶轴的各向异性而形成一个倒金字塔结构的V形槽。

6)BOE腐蚀第一面的二氧化硅。

7)切片。

8)通过透射电子显微镜在暴露出的氮化硅膜上刻蚀两纳米孔。

在本具体流程中，采用MEMS技术和TEM打孔技术制备两个相邻的纳米孔，而在实际生产中，当然也可根据实际情况选用其他制造工艺。

所述纳米孔A及所述纳米孔B的孔径的范围为1纳米至10纳米，包括端点值，如1.0纳米、5.3纳米或10.0纳米中任一个；相应地，所述磁性小球的直径的范围为70纳米至200纳米，包括端点值，如70.0纳米、152.3纳米或200.0纳米中任一个；另外，所述纳米孔A与所述纳米孔B的间距的范围为0.5微米至10微米，包括端点值，如0.50微米、5.36微米或10.00微米中任一个。当然，上述各个参数均可根据实际情况做相应调整。

作为一种优选实施方式，所述DNA检测腔200包括双通道微流控组件220；

所述双通道微流控组件220包括导流沟道221，所述导流沟道221与所述单层膜双纳米孔芯片210围成导流管；

所述导流管分别将纳米孔A及纳米孔B与所述DNA修饰腔100连接。

所述微流控组件220也可为具有所述导流沟道221的硅片，其一种具体实施方式的结构示意图如图4所示，可与所述那层膜双纳米孔芯片较好贴合，连接难度小，占用空间小，且提供了供所述待测DNA流动的通道，使器件内空间布局更灵活。

本发明所提供的单层膜双纳米孔DNA检测设备，包括DNA修饰腔100、DNA检测腔200、电场电极300及信号处理终端400；所述DNA检测腔200包括单层膜双纳米孔芯片210；所述DNA修饰腔100，用于对待测DNA加装探针及在所述待测DNA的尾端连接磁性小球，所述磁性小球的直径大于所述单层膜双纳米孔芯片210上的纳米孔A的孔径；所述电场电极300，用于在所述DNA检测腔200内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，完成一次所述待测DNA过孔检测，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极300，使所述待测DNA回缩；所述信号处理终端400，用于收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号，并通过所述纳米孔电信号确定DNA检测结果。本发明通过电场电极300在DNA检测腔200内设置外加电场，使待测DNA依次通过在同一膜层上相邻位置的两纳米孔(即纳米孔A及纳米孔B)，并分别获取待测DNA过孔时两个纳米孔的电信号，即可同时获得两次DNA检测结果，进而排除由错配探针等原因导致的测量误差，实现对单次测量的校验，在保证检测效率的同时，大大提升检测结果的准确性，此外，本发明还在待测DNA的尾端连接直径大于纳米孔A的孔径的磁性小球，使待测DNA不会完全过孔，而是尾端卡在纳米孔A处，当完成一次DNA过孔检测(即待测DNA的需检测部分穿过纳米孔A及纳米孔B)后，关闭电场电极300，外加电场消失，DNA在熵的作用下回缩，弹回DNA修饰腔100内，即可在DNA修饰腔100内直接进行探针替换，进一步节省了检测时间，提高了检测效率。

在具体实施方式一的基础上，进一步对所述DNA检测腔200做改进，得到具体实施方式二，其局部结构示意图如图5所示，包括DNA修饰腔100、DNA检测腔200、电场电极300及信号处理终端400；

所述DNA检测腔200包括单层膜双纳米孔芯片210；

所述DNA修饰腔100，用于对待测DNA加装探针及在所述待测DNA的尾端连接磁性小球，所述磁性小球的直径大于所述单层膜双纳米孔芯片210上的纳米孔A的孔径；

所述电场电极300，用于在所述DNA检测腔200内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，完成一次所述待测DNA过孔检测，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极300，使所述待测DNA回缩；

所述信号处理终端400，用于收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号，并通过所述纳米孔电信号确定DNA检测结果；

所述电场电极300包括入口电极310、底面电极320及出口电极330；

所述入口电极310设置于所述纳米孔A处；

所述底面电极320设置于所述单层膜双纳米孔芯片210的下方，且与所述纳米孔A及纳米孔B的位置对应；

所述出口电极330设置于所述纳米孔B处；

所述入口电极310的电位、所述底面电极320的电位及所述出口电极330的电位依次升高。

本具体实施方式在上述具体实施方式的基础上，进一步限定了所述电场电极300的布置方式，由于DNA分子带负电，因此，为使所述待测DNA实现从所述纳米孔A穿过，到达单层膜背面，再从单层膜背面穿过所述纳米孔B，使用本具体实施方式中的所述入口电极310、所述底面电极320及所述出口电极330的配置是最简单，最容易设置的方案，可大大简化所述外加电场的设计方案，降低所述电场电极300的安装难度。

需要注意的是，所述单层膜双纳米孔芯片210的下方指所述待测DNA分子通过所述纳米孔A后到达的一侧，优选地，所述底面电极320设置于所述纳米孔A与所述纳米孔B的连线的中点的正下方；所述入口电极310及所述出口电极330可以安装在对应的纳米孔的任一位置，甚至可以镀在对应的纳米孔周围，当然也可以根据实际情况自行选择，只要保证所述纳米孔A、所述单层膜双纳米孔芯片210下方及所述纳米孔B三处的电位关系即可。

在上述具体实施方式的基础上，作为一种优选方案，所述DNA检测腔200包括电极槽组件230；

所述电极槽组件230包括电极沟道231，所述电极沟道231与所述单层膜双纳米孔芯片210围成电极腔；

所述底面电极320设置于所述电极腔内。

优选地，所述电极槽组件230为硅片组件，其一种具体实施方式的结构示意图如图6所示，所述电极槽组件230设置于所述单层膜双纳米孔芯片210下方，所述电极沟道231与所述单层膜双纳米孔芯片210围成所述电极腔，起到保护所述底面电极320的作用，同时硅片组件更容易与所述单层膜双纳米孔芯片210贴合连接，相比于其他保护方案更加节省空间。

所述电极槽组件230、所述微流控组件220及所述单层膜双纳米芯片组合后的结构示意图如图7所示，其中，图中1号通道及2号通道为所述导流管，所述3号通道为所述电极腔。

本发明还提供了一种单层膜双纳米孔DNA检测方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图9所示，称其为具体实施方式三，包括：

S101：获取待装探针列表，并在待测DNA的尾端连接磁性小球。

S102：根据所述待装探针列表，为所述待测DNA加装第一探针。

当进行首次探针加装时，可以先加装所述第一探针，再加装所述磁性小球。

S103：通过外加电场使所述待测DNA的首端从单层膜双纳米孔芯片210的正面先穿过纳米孔A到达所述单层膜的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，并收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号；其中，所述磁性小球的直径大于所述纳米孔A的孔径。

S104：关闭所述外加电场，使所述待测DNA回缩，并洗去所述第一探针。

关闭所述外加电场后，失去电场力作用的所述待测DNA回弹，重新从纳米孔A回到前文所述的DNA修饰腔100，可直接对所述待测DNA进行抓取，并进行探针替换。

另外，完成一次所述待测DNA过孔检测但还未关闭外加电场时，所述待测DNA在所述DNA检测腔200内的位置示意图如图8所示，所述磁性小球卡在所述纳米孔A处。

S105：根据所述探针列表，循环加装探针至洗去探针的步骤，得到所述探针列表对应的纳米孔信号集。

本步骤中的循环，指S102、S103及S104；所述纳米孔信号集指所述探针列表内全部探针均完成检测后，所述纳米孔A及所述纳米孔B得到的全部纳米孔电信号的集合。

S106：根据所述纳米孔信号集，确定DNA检测结果。

本发明提供的单层膜双纳米孔DNA检测方法与前文提及的单层膜双纳米孔DNA检测设备相对应，各个步骤由所述单层膜双纳米孔DNA检测设备执行，本方法中的各步骤可参考前文设备的各个组件。

本发明所提供的单层膜双纳米孔DNA检测方法通过获取待装探针列表，并在待测DNA的尾端连接磁性小球；根据所述待装探针列表，为所述待测DNA加装第一探针；通过外加电场使所述待测DNA的首端从单层膜双纳米孔芯片210的正面先穿过纳米孔A到达所述单层膜的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，并收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号；其中，所述磁性小球的直径大于所述纳米孔A的孔径；关闭所述外加电场，使所述待测DNA回缩，并洗去所述第一探针；根据所述探针列表，循环加装探针至洗去探针的步骤，得到所述探针列表对应的纳米孔信号集；根据所述纳米孔信号集，确定DNA检测结果。本发明通过电场电极300在DNA检测腔200内设置外加电场，使待测DNA依次通过在同一膜层上相邻位置的两纳米孔(即纳米孔A及纳米孔B)，并分别获取待测DNA过孔时两个纳米孔的电信号，即可同时获得两次DNA检测结果，进而排除由错配探针等原因导致的测量误差，实现对单次测量的校验，在保证检测效率的同时，大大提升检测结果的准确性，此外，本发明还在待测DNA的尾端连接直径大于纳米孔A的孔径的磁性小球，使待测DNA不会完全过孔，而是尾端卡在纳米孔A处，当完成一次DNA过孔检测(即待测DNA的需检测部分穿过纳米孔A及纳米孔B)后，关闭电场电极300，外加电场消失，DNA在熵的作用下回缩，弹回DNA修饰腔100内，即可在DNA修饰腔100内直接进行探针替换，进一步节省了检测时间，提高了检测效率。本发明同时还提供了一种具有由上述有益效果的单层膜双纳米孔DNA检测方法。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的单层膜双纳米孔DNA检测设备及检测方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。