公开/公告号CN113161343A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN202110085852.5
申请日2021-01-22
分类号H01L27/02(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人李春秀
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
入库时间 2023-06-19 11:57:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/02 专利申请号:2021100858525 申请公布日:20210723
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: Halfgeleiderrichichting包含半导体本体,该半导体本体具有与Halfgeleiderlichaam的上表面相邻的Halfgeleiderschhalelement的两个分离部分,以及在这两个部分之间的Halfgeleiderlichaam表面分离的导电层的绝缘层。
机译: Halfgeleiderrichichting包含半导体本体,该半导体本体具有与Halfgeleiderlichaam的上表面相邻的Halfgeleiderschhalelement的两个分离部分,以及在这两个部分之间的Halfgeleiderlichaam表面的绝缘层。
机译: Halfgeleiderrichichting包含半导体本体,该半导体本体具有与Halfgeleiderlichaam的上表面相邻的Halfgeleiderschhalelement的两个分离部分,以及在这两个部分之间的Halfgeleiderlichaam表面的绝缘层。