机译:Halfgeleiderrichichting包含半导体本体,该半导体本体具有与Halfgeleiderlichaam的上表面相邻的Halfgeleiderschhalelement的两个分离部分,以及在这两个部分之间的Halfgeleiderlichaam表面的绝缘层。
公开/公告号NL161922B
专利类型
公开/公告日1979-10-15
原文格式PDF
申请/专利号NL19710016693
发明设计人
申请日1971-12-04
分类号H01L27/06;H01L29/76;H01L21/26;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 20:42:29