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包括数据输入/输出电路的存储器件

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本申请提供一种包括数据输入/输出电路的存储器件。一种存储器件包括：多个数据输入/输出(I/O)组，每个数据输入/输出(I/O)组包括数据I/O电路，每个数据I/O电路包括根据供应至其体端子的体电压而具有预定阈值电压的晶体管；控制电路，其适用于根据数据I/O模式而生成控制信号；以及多个电压供应电路，其适用于独立地向多个数据I/O组供应体电压，并且响应于控制信号而改变与多个数据I/O组之中的在数据I/O模式下未使用的数据I/O组相对应的体电压的电平。

著录项

公开/公告号CN113129947A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人爱思开海力士有限公司;
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申请/专利号CN202010620197.4
发明设计人高仁成;
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申请日2020-07-01
分类号G11C7/10(20060101);G11C5/14(20060101);
代理机构11363 北京弘权知识产权代理有限公司;
代理人许伟群;阮爱青
地址韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 11:52:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-11

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G11C 7/10 专利申请号:2020106201974 申请公布日:20210716

发明专利申请公布后的撤回

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专利
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外文文献

1. 包括数据输入/输出电路的存储器件 [P] . 中国专利： CN113129947A . 2021-07-16
2. 输出电路、包括输出电路的系统以及控制输出电路的方法 [P] . 中国专利： CN102638258B . 2014.12.03
3. data input and output circuit and semiconductor memory device including the same [P] . 韩国专利： KR101053537B1 . 2011-08-03

机译：数据输入和输出电路以及包括该数据输入和输出电路的半导体存储器件
4. A semiconductor memory device having a data input / output circuit with a small occupation area capable of high-speed data input / output [P] . 韩国专利： KR970029767A . 1997-06-26

机译：具有数据输入/输出电路的半导体存储器件，该数据输入/输出电路具有能够高速数据输入/输出的较小占用面积
5. Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same [P] . 美国专利： US9905281B2 . 2018-02-27

机译：数据输入/输出电路和具有该数据输入/输出电路的半导体存储器件