首页> 中国专利> 一种提高芯片去层次时均匀度的方法

一种提高芯片去层次时均匀度的方法

摘要

本发明公开了一种提高芯片去层次时均匀度的方法,涉及半导体技术领域,通过在底座芯片B以及补偿芯片和失效芯片的背面打孔,然后利用热熔胶枪点胶填充热熔胶,操作工艺简单、热熔胶的用量少;无需在失效芯片与底座芯片B之间形成胶层进行粘接,能防止失效芯片出现倾斜的状况,使失效芯片研磨过程更加均衡,保证失效芯片样品研磨后表面平整度和均匀度。并在水下研磨失效芯片,水既能够起到润滑剂的作用,使研磨工作更加顺滑,又能及时分散研磨产生的颗粒,避免颗粒干扰研磨工作,进一步保证研磨后表面平整度和均匀度,水下研磨还能有效的散发在研磨过程中产生的热量,提高了散热水平,从而减少失效芯片的翘曲,够避免样品边缘出现分层现象。

著录项

  • 公开/公告号CN113063641A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆工程职业技术学院;

    申请/专利号CN202110242925.7

  • 申请日2021-03-05

  • 分类号G01N1/28(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构50221 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人袁泉

  • 地址 402284 重庆市江津区圣泉街道南北大道501号

  • 入库时间 2023-06-19 11:42:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-21

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01N 1/28 专利申请号:2021102429257 申请公布日:20210702

    发明专利申请公布后的撤回

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号