公开/公告号CN113066715A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;
申请/专利号CN202110295543.0
申请日2021-03-19
分类号H01L21/027(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人郭凤杰
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
入库时间 2023-06-19 11:42:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-05
授权
发明专利权授予
机译: 消隐射线敏感或辐射敏感的成分,以及抗蚀膜,图案形成方法,抗蚀剂涂覆的掩膜毛坯,制造光掩模的方法,光掩模,制造电子设备的方法以及使用该组件的电子设备
机译: 具有编码数据转换过程信息的光掩膜码型,光掩膜形成方法和半导体器件制造方法
机译: 光掩膜光敏树脂的组成及光掩膜图像的形成方法