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光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法

摘要

本发明涉及一种光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法。其中,光罩组件包括:第一光罩,用于在衬底上形成第一图形化结构,第一图形化结构具有第一图形化开口,第一图形化开口包括多个条状图形,第一光罩的中心与衬底中心重合时,第一区域与第二区域的交界线两侧的条状图形之间的距离大于其他相邻两个条状图形之间的距离;第二光罩,用于形成第二图形化结构,第二图形化结构用于覆盖第二区域的第一图形化开口,第二光罩的中心以及第一光罩的中心与衬底中心重合时,第二图形化结构的开口边缘与与其相邻的条状图形之间的距离大于第一预设距离。本申请可以有效降低光罩发生偏移引起的良率损失。

著录项

  • 公开/公告号CN113066715A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN202110295543.0

  • 发明设计人 钞付芳;张君君;吴志民;

    申请日2021-03-19

  • 分类号H01L21/027(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人郭凤杰

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

  • 入库时间 2023-06-19 11:42:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-05

    授权

    发明专利权授予

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