一种基于MoS2和Si复合结构的太赫兹调制器及其调控方法

摘要

本发明公开了一种基于MoS2和Si复合结构的太赫兹调制器及其调控方法，包括半导体Si衬底和Si衬底表面生长的MoS2层，Si衬底的材料为单面抛光p型掺杂硅，MoS2层采用磁控溅射法在Si衬底的抛光面生长，形状为垂直形态。通过本发明的技术方案，能够解决现有太赫兹调制器缺乏有效动态调控太赫兹波的材料、器件制备加工工艺复杂和常用调制方法难以实现调制增强太赫兹波透射幅度等问题。