一种V2O5-Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法

摘要

本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。