一种硅基多孔阳极氧化铝模板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基多孔阳极氧化铝模板及其制备方法，涉及氧化铝膜制备技术领域；本发明工艺包括：工艺一，在真空环境下，利用磁控溅射物理气相沉积系统在片状硅上和片状高纯铝箔抛光表面沉积铝膜；工艺二，在真空条件下进行钎焊，使得工艺一制得的硅片和铝箔镀有铝膜的那一面和铝箔面对面紧密复合在一起；工艺三，对工艺二制得的样品进行阳极氧化以在铝箔表面得到孔道；本发明工艺直接在硅基上制备多孔阳极氧化铝，制得的模板结构特点是，硅基底和铝箔层之间通过钎焊焊料层紧密复合在一起；且铝箔层外侧表面成型有若干规则有序的类圆形孔道；类圆形孔道的孔径约为90nm，相邻孔道的孔间距约为95nm。