一种源区自对准垂直沟道MOS集成电路单元及其实现方法

摘要

本发明涉及微电子技术和集成电路领域，尤其涉及一种自对准MOSFET结构及其制造方法。基于此前提出的纵向基本单元结构，为了进一步提高集成度，本发明专利提出了一种新型的纵向器件结构的制造工艺和实现方法。由于更多地利用纵向上的空间，也通过源区自对准的特殊工艺，免去了器件表面开孔的面积占用，每个器件在平面维度上几乎只占用了源栅漏电极的有效区域，而不需要多余的面积占用，集成度大大提高。