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公开/公告号CN112981531A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 赵丽丽;
申请/专利号CN202110177439.1
发明设计人 不公告发明人;
申请日2021-02-07
分类号C30B29/36(20060101);C30B25/00(20060101);
代理机构23209 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙);
代理人赵君
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松北(深圳龙岗)科技创新产业园12栋1-5楼
入库时间 2023-06-19 11:29:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-25
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/36 专利申请号:2021101774391 申请公布日:20210618
发明专利申请公布后的驳回
机译: SiC单晶生长装置,SiC单晶生长方法和SiC单晶
机译: SiC单晶生长方法,SiC单晶生长装置和SiC单晶锭
机译: SiC单晶生长装置,其含有可动隔热材料和使用相同的SiC单晶的生长方法
机译:一种抑制大尺寸SiC单晶生长过程中生长诱导多型域的新方法
机译:从单晶SiC晶片上沉积的Si薄膜自组装生长高质量SiC纳米线
机译:从Si薄膜沉积在单晶SiC晶片上的高质量SiC纳米线的自组装生长
机译:高质量和低电阻率的生长Φ100mmp型4h-sic单晶
机译:通过微波等离子辅助化学气相沉积法生长和表征大型,高质量的单晶金刚石基底。
机译:用非弹性布里渊光散射和双折射测量研究的使用固态单晶生长方法生长的钛酸钡单晶的前体现象
机译:通过激光加热基座生长方法,高质量YB3 + +掺杂Y3Al5O12单晶纤维的生长
机译:用行程溶剂和其他方法研究单晶sic的生长