一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法

摘要

本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法，属于半导体领域。以使SRAM存储单元中的存储数据在两个节点之间不断交换，均衡老化问题，消除阈值失配。SRAM存储单元包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器的输入端和第二反相器的输出端串接有第一选通管。从属电路包括依次连接的第二选通管、第三反向器和第三选通管。第二选通管和第三选通管通过第一反相器的输入端，与主电路电连接。在一个周期内，第一选通管、第二选通管以及第三选通管上施加的控制信号由第一控制信号转变为第二控制信号，SRAM存储单元的存储节点的存储数据发生翻转。