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Desarrollo de una herramienta para discernir errores simples en memorias SRAM sometidas a radiación

机译:开发一种工具来识别受辐射影响的SRAM存储器中的简单错误

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摘要

Para testear la vulnerabilidad de las memorias en entornos radiactivos se utilizan fuentes de radiación que en un breve lapso de tiempo, permiten obtener grandes cantidades de errores. Durante estos tests, se mezclan los errores simples (una partícula afecta a una celda de memoria) con los múltiples (una partícula afecta a múltiples celdas de memoria), y no es en absoluto trivial discernir ambos tipos de errores. Sin embargo, para mejorar la precisión de las métricas que evalúan la sensibilidad es imprescindible saber qué errores son simples y cuáles son múltiples.udEn este trabajo, nos familiarizaremos con las distintas técnicas para distinguir los tipos de errores mencionados anteriormente. Después crearemos un software con las técnicas necesarias para la prediccion de dichos fallos usando el lenguaje C. Y finalmente desarrollamos una interfaz gráfica que será sencilla e intutitiva para facilitar la obtención de los datos y una mejora en la visualización.
机译:为了测试放射性环境中存储器的脆弱性,使用了辐射源,该辐射源可在短时间内获得大量错误。在这些测试中,简单错误(一个粒子影响一个存储单元)与多个错误(一个粒子影响多个存储单元)混合在一起,辨别这两种类型的错误并非无关紧要。但是,为了提高评估灵敏度的度量的准确性,必须知道哪些错误是简单的,哪些是多个错误的。 U在这项工作中,我们将熟悉用于区分上述错误类型的不同技术。然后,我们将使用必要的技术创建一个软件,以使用C语言预测所述故障,最后,我们将开发一个简单直观的图形界面,以方便获取数据并改善可视化效果。

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