具有主动式底架支撑件的光刻设备

摘要

一种光刻设备包括：构造成形成光刻设备的支撑结构的底架、布置在底架与地板之间的主动式底架支撑件。该主动式底架支撑件配置成在底板上支撑底架。该主动式底架支撑件包括致动器，该致动器配置成在底架与地面之间沿水平方向施加力。该光刻设备还包括控制装置，该控制装置配置成驱动致动器，表示该底架上的扰动力的信号被提供至控制装置，该控制装置配置成使用力传感器信号来驱动致动器。

说明书

本申请是发明名称为“具有主动式底架支撑件的光刻设备”、申请日为2016年11月17日、申请号为201680074430.5的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月21日提交的欧洲申请15201466.8的优先权，并且它通过引用而全文合并到本发明中。

技术领域

本发明涉及一种具有主动式底架支撑件的光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将所需的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将所述图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行所述图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成转移至衬底。

在光刻设备中，支撑件(诸如衬底的支撑件或图案形成装置的支撑件)在操作期间移动，例如，以执行扫描移动。此外，设置致动器(诸如电动马达或多个电动马达，例如，平面马达)。致动器可以(例如)包括在较小的移动范围上执行准确的定位的短行程致动器与在大的移动范围上提供定位的长行程致动器的组合。致动器相对于配重移动支撑件。由于支撑件(加上由所述支撑件保持的衬底或图案形成装置)的重心与配重的重心不重合，因此在配重上的反作用合力可以在配重上提供力矩。支撑件可以被定位在配重的顶部上(即，在Z方向上被间隔开)，如果由致动器的水平力(例如，x方向或y方向上的力)在配重上提供沿相对方向的反作用力以及分别围绕x方向和/或y方向的力矩。X方向和Y方向被定义为形成垂直于Z方向的水平面。

配重由光刻设备的底架支撑，底架依次由被布置了光刻设备的建筑物的地面(例如，地板、基座等)支撑。

反向移动的振动、力矩和作用易于在支撑件的定位中引起扰动，该扰动可能引起光刻设备的重叠误差。

在不提供配重的状况下，支撑件的移动可以类似地在光刻设备的底架上引起扰动力。由于不存在配重的平衡效应，底架上的扰动力甚至可以是更加严重。

发明内容

期望的是，提供所述支撑件的准确定位。

根据本发明的实施例，提供了一种光刻设备，包括：

底架，构造成形成所述光刻设备的支撑结构，

主动式底架支撑件，配置成在地面上支撑所述底架，所述主动式底架支撑件包括致动器，所述致动器配置成在所述底架上沿水平方向施加力，

所述光刻设备还包括：

控制装置，配置成驱动所述致动器，表示所述底架上的力的信号被提供至所述控制装置，所述控制装置配置成基于表示所述底架上的所述力的所述信号驱动所述致动器。

附图说明

现在仅通过举例的方式参考所附的示意图来描述本发明的实施例，附图中相应的附图标记表示相应的部件，并且其中：

-图1描绘一种可以实施本发明的光刻设备；

-图2描绘根据本发明的实施例的用于光刻设备中的主动式底架支撑件的示意性侧视图；

-图3描绘根据本发明的实施例的光刻设备的一部分的高度示意性的侧视图；

-图4描绘根据本发明的另一实施例的光刻设备的一部分的高度示意性的侧视图；和

-图5A-5C描绘底架振动的时间图，用于说明参考图3所述的本发明的实施例的效果。

具体实施方式

图1示意性地描绘根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，配置成用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其它合适的辐射)；掩模支撑结构(例如掩模台)MT，构造成用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与被配置用于根据某些参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。所述光刻设备还包括衬底台(例如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，所述衬底台WT或“衬底支撑件”被构造用以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且与配置用于根据某些参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连。所述光刻设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用于引导、成形、或控制辐射。

所述掩模支撑结构支撑所述图案形成装置，即承载所述图案形成装置的重量。掩模支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述掩模支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述掩模支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要而是固定的或可移动的。所述掩模支撑结构可以确保图案形成装置位于所期望的位置上(例如相对于投影系统)。在这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所期望的图案完全相对应(例如如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分中形成的器件中的特定的功能层相对应，诸如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型和衰减型相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

此处使用的术语“投影系统”应该广义地解释为涵盖任意类型的投影系统，所述投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型的光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其它因素所适合的。此处使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所示的，所述光刻设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述光刻设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(“双平台”)或更多个衬底台或衬底支撑件(和/或两个或更多个掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以平行地使用附加的台或支撑件，或者可以在一个或更多个台或支撑件上执行预备步骤的同时，一个或多个其它的台或支撑件被用于曝光。

所述光刻设备也可以是这种类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间的空间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。此处使用的术语“浸没”并不意味着必须将诸如衬底的结构浸入到液体中，而是仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和所述衬底之间。

参照图1，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。所述源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当所述源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将所述源看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在所述掩模支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述支撑台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT或“衬底支撑件”的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将掩模台MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT或“衬底支撑件”沿X和/或Y方向移位，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在对掩模台MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”相对于掩模台MT或“掩模支撑件”的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿扫描方向)。

3.在另一种模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT或“掩模支撑件”保持为基本静止，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT或“衬底支撑件”进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT或“衬底支撑件”的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变形，或完全不同的使用模式。

如上文所说明的，致动器相对于配重移动所述支撑件(衬底支撑件或图案形成装置支撑件)。由于支撑件的重心与配重的重心在Z方向上被间隔开，因此配重上反作用合力可以在配重上提供力矩。尤其是，致动器的水平力，例如，X方向或Y方向上的力，在配重上提供沿相对方向的反作用力以及分别围绕Y方向和/或X方向的力矩。

用于至少部分地补偿配重上的力的解决方案已经被设计成主动式底架支撑件的形式。由此，相对于地板支撑所述底架的支撑件设置有底架支撑件致动器，诸如压电致动器或任何其他致动器，例如马达。支撑件致动器被配置成沿竖直(Z)方向施加力。因此，可以补偿由于支撑件沿水平方向被移动而造成的作用到底架上的力矩：当底架支撑件致动器沿X方向施加力至支撑件上时，导致施加到配重上的Ry力矩。当底架支撑件致动器沿y方向施加力至支撑件上时在配重上时，导致施加到配重的Rx力矩。通过底架支撑件致动器的致动可以至少部分地补偿配重上的这些力矩，其中在底架的一侧上沿向上方向和在底架的另一侧上沿向下方向的竖直力的致动可以产生至少部分补偿的力矩。底架支撑件致动器可以由合适的控制装置驱动。被配置成感测竖直力的力传感器可以例如，以压电传感器或任何其他的力传感器的形式被包括在底架支撑件中。力传感器的输出信号可以被提供至控制装置，所述控制装置可以因此被配置成响应于底架支撑件中的力传感器的输出信号(和其他的)来驱动底架支撑件致动器。

图2描绘了包括竖直底架支撑件致动器VBSA以及水平底架支撑件致动器HBSA两者的主动式底架支撑件致动器ABSA。在本实施例中，底架支撑件致动器包括竖直叠层的压电叠层，所述压电叠层包括从底部到顶部的竖直压电力传感器VBSS、竖直压电致动器VBSA、水平压电致动器HBSA和水平压电力传感器HBSS。水平压电致动器可以(例如)是纯粹的(sheer)压电致动器。因此，提供能够进行竖直感测和致动与水平感测和致动两者的压电叠层。水平感测和致动可以是沿单一水平方向，诸如在X方向或Y方向上。另外，可以(例如)通过提供双水平压电致动器和传感器来提供在X和Y两个方向上的致动和感测。应当注意，水平致动器和竖直致动器可以交换，即，竖直致动器在水平致动器的顶部上。可以在水平致动器与水平传感器之间设置机械解耦合以便减少从致动器至传感器的串扰。同样地，可以在竖直致动器与竖直传感器之间设置机械解耦合。可以提供保护机构以确保致动器压电元件上的力将超过最大值，由此保护所述压电致动器不会超负载。

图3描绘了可以应用如参考图2所述的主动式底架支撑件的实施例。图3描绘了一种平台，例如，在这个示例中的由短行程致动器SSA和长行程致动器LSA定位的衬底平台(即，衬底台)，短行程致动器SSA和长行程致动器LSA中的每一个通过诸如平面马达的马达来形成。图3示意性地描绘了长行程致动器的在其移动部分中的线圈和在其静止部分中的磁体。应当注意，线圈和磁体被互换的实施例也可以应用。长行程致动器的静止部分由底架BF支撑。所述底架形成光刻设备的支撑结构。底架又由地面(例如，通过基座或地板GF形成)通过主动式底架支撑件ABS(诸如每一个如图2所示并参考图2所述的主动式底架支撑件中的四个)来支撑。尽管本示例是基于衬底平台的，但是类似原理可以被应用至光刻设备的任何其他移动部分/部件，诸如支撑图案形成装置的支撑件(诸如掩模台)，或掩模版掩模(reticle mask)。因此，在这个示例中提及了所述平台、衬底台或晶片台的情况下，应当理解，任何其他支撑件也是可以想到的。

术语“水平或水平方向”是指水平面(通常为平行于地面的平面)中的方向。相应地，术语“竖直或竖直方向”是指垂直于水平面的方向，由此垂直于水平方向。在实施例中，力传感器测量的分别致动所述主动式底架致动器的水平方向为光刻设备的扫描方向，该方向可以被定义为Y方向。

图3进一步地高度示意性地描绘了一种控制装置C。控制装置被设置有表示底架上的扰动力的信号。控制装置的驱动输出响应于表示扰动力的信号来驱动所述主动式底架支撑件致动器。表示底架上的力的信号可以表示扰动力，诸如水平扰动力。提供表示扰动力的信号的许多实施例，如下文更详细地描述的。例如，如下文更详细地描述的，所述信号可以通过以下信号形成：支撑件的设定点信号、底架上或主动式底架支撑件上的力传感器的力传感器信号、由底架上的加速度计提供的加速度信号、加速度计设置在地板或基座上等。可以将如所述的信号的任何组合提供至控制装置，以便基于信号的组合通过控制装置提供对致动器的驱动。

在实施例中，控制装置设置在力信号输入FSI处，具有来自主动式底架支撑件的力传感器的输出信号。主动式底架支撑件中的力传感器提供关于如在主动式底架支撑件中所感测的扰动的信息至控制装置。控制装置的驱动输出驱动主动式底架支撑件致动器，诸如Z方向致动器和/或水平致动器。主动式底架支撑件中水平力感测与主动式底架支撑件的水平致动经由水平致动器组合在一起，能够阻尼水平方向上的共振。在使用这些主动式底架支撑件中的多个例如四个这样的主动式底架支撑件，在底架的一个角部或一个边缘处一个的情况下，可以同样地抵消围绕竖直方向的旋转。应当注意，力传感器可以被设置在主动式底架支撑件、底架或其他事物中。

在实施例中，参看参考图2所述的主动式底架支撑件的实施例，来自竖直力传感器的输出信号和来自水平力传感器的输出信号两者都被提供至控制装置。对应地，主动式底架支撑件中水平力感测和竖直力的组合与主动式底架支撑件的水平致动以及竖直致动经由水平致动器和竖直致动器组合在一起，能够阻尼竖直方向以及水平方向上的共振以及围绕这些方向的旋转。在多个主动式底架支撑件的情况下，可以针对于所有四个主动式底架支撑件系统提供一个控制器。该控制器接收来自所有ABS力传感器输入端、来自一个或更多个加速度计的加速度信号和平台设定点信息，并朝向多个主动式底架支撑件的致动器分送输出信号。

此外，控制装置可以在设定点输入SPI处设置有支撑件的设定点，其使得控制装置能够导出关于支撑件的期望的位置、速度和加速度的信息。支撑件的设定点因此被用作前馈信号，由此支撑件的设定点通过支撑件的移动、加速度等来提供关于底架的扰动的信息。

至控制装置的另一输入信号可以由底架上的加速度传感器提供。如由加速度传感器在加速度传感器输入端ASI处所提供的加速度信号可以提供关于底架的振动的信息。例如，可以在底架上主动式底架支撑件中的每一个的附近设置各个加速度计。通过在底架的各个边缘或角部处使用4个主动式底架支撑件，可以设置4个加速度计，每一加速度计处于各自的一个所述边缘或角部处。通过使用多个加速度计，控制装置可以考虑关于底架的共振模式、弯曲模式、扭转模式等激活的信息。可以将加速度计定位在底架上靠近各自的主动式底架支撑件，以便将与底架支撑件附近的底架所遭受的加速度图尽可能地接近地相关的加速度信号提供至控制装置，由此能够进行更加准确的控制。加速度计的数量可以高于4个，尤其是在也需要测量水平方向或各种共振模式或扭转模式的时候。

通过使用上文所述的输入，可以提供前馈与反馈的组合，由此支撑件设定点形成前馈输入信号，而加速度传感器信号和力传感器信号提供反馈输入信号，前馈与反馈的组合通过前馈与反馈进行准确的组合来提供对支撑件移动的快速响应。

图4描绘了另一实施例，其中已经将附加的传感器增设至如上文所述的系统。提供表示底架上的(扰动)力的信号的一些可能的附加传感器在下文中被描述。

第一种可能的附加传感器可以由另一加速度计(另外的加速度传感器FAS)提供，例如，设置在显示共振趋势的光刻设备的结构RES处或附近的另一加速度计。例如，诸如衬底平台配重的支撑件配重可以趋向于共振。通过在这样的结构定位加速度传感器或多个加速度传感器或这样的结构的共振可以被检测的部位处定位加速度传感器或多个加速度传感器，提供至控制装置的加速度传感器信号使得控制装置能够通过控制装置阻尼这些共振对底架的效应，所述控制装置因此被配置成致动所述主动式底架支撑件致动器。

第二种可能的附加传感器将被设置成另一力传感器FFS的形式，例如，在支撑件(例如，晶片台或掩模版台)至底架连接中的力传感器。力传感器可以被定位在朝向底架的力的路径中。在力传感器输入端处将力传感器信号提供至控制装置。控制装置驱动主动式底架支撑件致动器以至少部分地补偿所述力在底架上的效应。例如这些传感器可以被设置在支撑件(例如，平台模块)至底架的安装件中。

另一个附加的传感器可以被设置成安装在支撑主动式底架支撑件的地板或底座处的地板加速度计GFA的形式。经由地板传播的振动(诸如来自光刻设备的环境中的其他装置的振动)可以由这个传感器检测，且这些振动在底架上的效应可以至少部分地通过所述控制装置抵消，所述控制装置接收在地板加速度计输入端处的地板加速度计信号并且驱动主动式底架支撑件以至少部分地补偿所检测的振动。由此，可以在很大程度上防止这些地板振动传播到底架中。

图5A-图5C描绘了主动式底架支撑件阻尼的结果，其中提供主动式底架支撑件在水平方向和竖直方向两个方向上的致动。图5A示出了作为频率的函数在x方向上的底架位置的频谱，图5B示出了作为频率的函数在Y方向上的底架位置的频谱，和图5C示出了作为频率的函数在Z方向上的底架位置的频谱。图5A、图5B和图5C分别描绘了不具有主动式底架支撑件的配置(被识别出为1)、具有在竖直(Z)方向上具有致动和感测的主动式底架支撑件的配置(被识别出为2)和具有在竖直(Z)方向以及水平(在该示例中为Y)方向上具有致动和感测的主动式底架支撑件的配置(被识别出为3)。在所述示例中，主动式底架支撑件通过来自支撑件设定点的前馈与来自底架加速度传感器和主动式底架支撑件力传感器的反馈的组合进行控制。在本示例中，平台运动的姿态被应用作为造成共振的激励。

如从图5A、图5B和图5C所明白的，具有被动式底架支撑件的配置结构在X方向、Y方向和Z方向上展现出某一程度的共振。具有主动式底架支撑件(其具有在竖直方向上实现的底架支撑件中的致动器与在竖直方向上起作用的力传感器的组合)的配置示出了在X方向和Z方向上的共振已经减小，而在Y方向上的共振保留。通过把在Y方向上的致动和底架支撑件中在Y方向上的力的对应的测量增加至底架支撑件，减少了Y方向上的共振，如从图5B所明白的。

由于通过具有在竖直方向和水平(例如，Y)方向上具有致动和感测的主动式底架支撑件的配置可以减少底架的共振，因此可以提供底架的更加稳定的定位，其在操作中对支撑件引起较少的扰动，因此导致支撑件的更加准确的定位。支撑件定位越准确，可能在光刻过程中导致重叠误差越小。

如上文所述的原理可以被应用至任何支撑件。例如，支撑件可以通过衬底台形成。支撑件也可以通过图案形成装置的支撑件(诸如掩模台)形成。此外，支撑件可以通过掩模版掩模形成。通常，通过使用如本文中所述的技术，可以在很大程度上补偿作用于底架的扰动力。扰动力可以源自光刻设备中的移动部分，例如在底架上造成力矩的移动部分。此外，可以使用额外的传感器来补偿来自其他源的扰动，诸如传播通过地板的扰动、由光刻设备的其他结构中的共振所造成的扰动等。

虽然本发明对光刻设备在制造IC中的应用做出了具体参考，但是应该理解，此处所述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会认识到，在这样替换应用的情形中，此处的使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以是在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中。在可应用的情形中，可以将此处的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如为产生多层IC，使得此处使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

虽然上文已经对在光学光刻术的情形中使用本发明的实施例做出了具体参考，但是将理解，本发明可以用在其它的应用中，例如压印光刻术中，并且只要情形允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的形貌印制到提供到所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置被从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

此处使用的术语“辐射”和“束”涵盖全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有或约为365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在情形允许时，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型以及静电型光学部件。

虽然上文已描述本发明的具体实施例，但应了解，可以用与所描述的方式不同的其它方式来实施本发明。例如，本发明可以采用包含描述上文所公开的方法的一个或更多个机器可读指令的序列的计算机程序的形式，或其中存储中这样的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

以上的描述意图是说明性的，而不是限制性的。因此，对本领域的技术人员将明白，在不背离下面所阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的发明进行修改。