公开/公告号CN112899788A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 山东天岳先进科技股份有限公司;
申请/专利号CN202110050329.9
申请日2021-01-14
分类号C30B33/00(20060101);C30B29/36(20060101);B24B19/22(20060101);B28D5/02(20060101);B07C5/34(20060101);
代理机构11716 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人冯妙娜
地址 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
入库时间 2023-06-19 11:16:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-08
授权
发明专利权授予
机译: 含晶种的碳化硅单晶锭,碳化硅单晶基质,碳化硅表皮晶片和薄膜表皮晶片
机译: 使用晶锭生长的碳化硅漂移层形成功率半导体器件的方法,以及由碳化硅漂移层形成的功率半导体器件
机译: 种晶的生产方法及其用于碳化硅单晶生长的生产方法以及碳化硅单晶锭