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公开/公告号CN112904550A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202110132723.7
发明设计人 胡方靖;伍文杰;田纪遨;刘骅锋;涂良成;
申请日2021-01-29
分类号G02B26/02(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人祝丹晴;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 11:16:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-22
授权
发明专利权授予
机译: 太赫兹调制器,高速太赫兹波的调制方法以及具有对称介电共振腔的太赫兹调制器的制造方法
机译: 太赫兹波的强度调制方法和太赫兹波的强度调制器
机译: 基于MOSFET漏极光栅化的太赫兹检测器的制备方法
机译:基于光栅耦合二维电子系统的等离子太赫兹调制器
机译:双光栅门高电子迁移率晶体管中利用二维等离子体共振的太赫兹电磁波强度调制器。
机译:基于半导体多层的逆设计的太赫兹调制器
机译:基于谐振隧道二极管振荡器的太赫兹波幅度调制雷达
机译:用于太赫兹频段通信的基于石墨烯的等离子相位调制器。
机译:基于退火多层MoS2的光调谐太赫兹调制器
机译:基于退火多层MOS2的光学调谐太赫兹调制器
机译:具有二维电子通道的光栅门控场效应晶体管中的等离子体增强电子阻力和太赫兹光电导