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公开/公告号CN112885391A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202110198603.7
发明设计人 李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;黄杨;罗家俊;韩郑生;
申请日2021-02-19
分类号G11C11/417(20060101);G11C11/419(20060101);
代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;
代理人王胜利
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 11:11:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-08
授权
发明专利权授予
机译: 数据存储方法对于可擦写存储器(例如RAM,SRAM,EEPROM),如果应用了完全编程的状态,则需要将状态信息更改为不完全擦除
机译: 使用静态随机存取存储器(SRAM)存储单元中的多值逻辑输出预测数据相关性
机译:具有动态稳定性的低存储单元比率的SRAM存储器单元
机译:AS8静态随机存取存储器(SRAM):非对称SRAM架构,用于软错误强化增强
机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
机译:NS-SRAM:用于增强SRAM存储器可靠性的邻域团结SRAM
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:Sramkova等人的社论载脂蛋白M:一种新型的脂肪因子随着肥胖而减少并受卡路里限制而上调
机译:开发一种工具来识别受辐射影响的SRAM存储器中的简单错误
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)