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具有垂直触发和放电路径的晶体管注入式可控硅整流器(SCR)

摘要

一种静电放电(ESD)保护电路具有可控硅整流器(SCR),其放电电流路径在第一方向上。触发晶体管的触发电流在垂直于第一方向的第二方向上流动。触发晶体管可以是鳍式场效应晶体管(FinFET)晶体管,其电流沿着鳍片长边方向流动。触发电流流入连接N+漏极,并流入连接N+漏极中心部分下方的N‑阱,将载流子注入PNPN SCR的N‑基极。注入的电流流过基极,产生一个电压梯度,该电压梯度导通与FinFET晶体管平行但隔开的P+发射极中的PN结,导致垂直于鳍片流动的放电电流。垂直的放电电流流过衬底,衬底可以处理比小鳍片更大的电流。

著录项

  • 公开/公告号CN112889150A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 香港应用科技研究院有限公司;

    申请/专利号CN202180000409.1

  • 发明设计人 任俊杰;

    申请日2021-01-15

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人江耀纯

  • 地址 中国香港新界沙田香港科学园科技大道东二号光电子中心5楼

  • 入库时间 2023-06-19 11:11:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-31

    授权

    发明专利权授予

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