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一种面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构

摘要

本发明一种面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构属于精密测试计量、微机电系统、IC芯片测试及探针卡技术领域;所述结构从上到下依次设置PCB板、转接板和复合探针头结构,复合探针头结构包括上导板,中间导板和下导板,探针穿过上导板和中间导板后,从下导板伸出;探针包括安装在上导板的上部探针,穿过中间导板的中部探针和安装在下导板的下部探针;上部探针和下部探针具有热胀冷缩特性;中部探针具有热缩冷胀特性;本发明作为面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构及测试方法中的一项关键技术,有利于确保超高温工作环境下,大尺寸或多测试点芯片测试过程中,裸芯与探针之间有效接触,进而有利于对该芯片进行测试。

著录项

  • 公开/公告号CN112858884A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 强一半导体(苏州)有限公司;

    申请/专利号CN202110051010.8

  • 发明设计人 于海超;

    申请日2021-01-14

  • 分类号G01R31/28(20060101);G01R1/073(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区东长路18号39幢2楼

  • 入库时间 2023-06-19 11:08:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-05

    授权

    发明专利权授予

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