公开/公告号CN112833660A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 青岛赛瑞达电子装备股份有限公司;
申请/专利号CN202110191534.7
申请日2021-02-19
分类号F27B1/00(20060101);F27B1/10(20060101);F27B1/20(20060101);F27B1/21(20060101);F27B1/26(20060101);F27D1/18(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构
代理人
地址 266000 山东省青岛市高新区华东路826号
入库时间 2023-06-19 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-16
专利申请权的转移 IPC(主分类):F27B 1/00 专利申请号:2021101915347 登记生效日:20230602 变更事项:申请人 变更前权利人:青岛赛瑞达电子装备股份有限公司 变更后权利人:赛瑞达智能电子装备(无锡)有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:266000 山东省青岛市高新区华东路826号 变更后权利人:214000 江苏省无锡市锡山区精密机械产业园4号厂房一层南侧厂房及办公场地
专利申请权、专利权的转移
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 配备热电偶的半导体制造立式扩散炉
机译: 半导体工艺用立式扩散炉