公开/公告号CN112782569A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 圣邦微电子(北京)股份有限公司;
申请/专利号CN201911094272.1
发明设计人 邴春秋;
申请日2019-11-11
分类号G01R31/317(20060101);
代理机构11449 北京成创同维知识产权代理有限公司;
代理人蔡纯;张靖琳
地址 100089 北京市海淀区西三环北路87号13层3-1301
入库时间 2023-06-19 10:57:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-05
授权
发明专利权授予
机译: 存储器芯片,即动态RAM存储器芯片的测试方法,包括确定输入信号电平分别低于或超过阈值电平时,存储器芯片的所有数据输出均接近逻辑零和逻辑一。
机译: 二进制数据的错误测试电路-使用整流器级产生通过两个阈值测试电平的nRZ信号,并提供无错误信号的输出逻辑电路
机译: 二进制数据的错误测试电路-使用整流器级产生通过两个阈值测试电平的nRZ信号,并提供无错误信号的输出逻辑电路